Halbleiterbauelemente: Unterschied zwischen den Versionen
(wissenswertes: Lehrform und Bemerk. hinzugef) |
(Klausuren) |
||
| Zeile 1: | Zeile 1: | ||
| + | <div id="klausuren" style="float:right; width:20%; margin:10px; padding:10px; background-color:#efefef;"> | ||
| + | === Klausuren === | ||
| + | WS 2004/2010 | ||
| + | * [http://docs.freitagsrunde.org/Klausuren/Physik%20und%20Technologie%20der%20Halbleiterbauelemente/ Klausuren] | ||
| + | </div> | ||
| + | |||
==Wissenswertes== | ==Wissenswertes== | ||
* Lehrform: 2 SWS VL / 2 SWS UE | * Lehrform: 2 SWS VL / 2 SWS UE | ||
| Zeile 16: | Zeile 22: | ||
* MESFET | * MESFET | ||
| + | __NOTOC__ | ||
==Eindrücke== | ==Eindrücke== | ||
Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund. | Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund. | ||
Version vom 9. März 2010, 14:26 Uhr
Wissenswertes
- Lehrform: 2 SWS VL / 2 SWS UE
- Bemerkungen: nur im SS
- Dozent: Reichl
- Voraussetzung: Physik für Elektrotechniker, Grundlagen der Elektrotechnik 1a, Grundlagen der Elektrotechnik 1b
- Skript: Online-Skript zum Selberdrucken
- Prüfung: 90min Klausur
- Homepage: http://mst.tu-berlin.de/education/ti/709_710/
Inhalt
- Kristallstrukturen, Bändermodell
- Dotierung, Stromleitung
- piezo-restive Sensoren
- pn-Übergang, Dioden, Photodioden, LEDs
- Bipolartransistoren, MOS-Transistoren
- MESFET
Eindrücke
Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund.
Am Beispiel von speziellen Komponenten wie Sensoren, Dioden und LEDs werden die Grundlagen spezialisiert und vertieft. Der pn-Übergang nimmt einen Grossteil der Übungszeit in Beschlag und bildet das zentrale Thema der Veranstaltung. Transistoren sind ein weiterer Schwerpunkt. Hier wird nicht nur die Funktionsweise sondern auch die Zusammensetzung und Herstellung erklärt. Prof. Reichl hat dazu auch die passenden Anekdoten aus der Praxis auf Lager.
In der Übung werden neben Rechnungen auch Skizzen/Diagramme der Ladungsträgerdichten bei bestimmten Zuständen angefertig und interpretiert. Dazu gibt es entsprechende Aufgabenblätter der Veranstalter.
