Sitzung: Jeden Freitag in der Vorlesungszeit ab 16 Uhr c. t. im MAR 0.005. In der vorlesungsfreien Zeit unregelmäßig (Jemensch da?). Macht mit!

Halbleiterbauelemente: Unterschied zwischen den Versionen

 
K (Klausurbox)
 
(10 dazwischenliegende Versionen von 7 Benutzern werden nicht angezeigt)
Zeile 1: Zeile 1:
 +
{{Vorlage:KlausurBox|titel=|klausurliste=
 +
<!-- Bitte hier als Liste einfügen. -->* [[http://docs.freitagsrunde.org/Klausuren/Grundlagen_der_Messtechnik/gdm_2010.txt  Klausur 18.02.2010]].
 +
 +
WS 2004/2010
 +
* [http://docs.freitagsrunde.org/Klausuren/Physik%20und%20Technologie%20der%20Halbleiterbauelemente/ Klausuren]
 +
}}
 +
 
==Wissenswertes==
 
==Wissenswertes==
* Dozent: Reichl
+
* Lehrform: 2 SWS VL / 2 SWS UE
* Voraussetzung: [[Physik für Elektrotechniker]], [[Grundlagen der Elektrotechnik 1a]], [[Grundlagen der Elektrotechnik 1b]]
+
* Bemerkungen: nur im WS
* Skript: Online-Skript zum Selberdrucken
+
* Dozent: Boit
 +
* Voraussetzung: [[Physik für Elektrotechniker]], [[GLET|Grundlagen der Elektrotechnik]]
 +
* Skript: veraltetes Skript zum Selberdrucken (Skript befindet sich in der Überarbeitung)
 
* Prüfung: 90min Klausur
 
* Prüfung: 90min Klausur
* Homepage: http://mst.tu-berlin.de/becap/education/TI/HlB/index_HlB.htm
+
* Homepage: [[ISIS]]
  
 
==Inhalt==
 
==Inhalt==
Zeile 14: Zeile 23:
 
* MESFET
 
* MESFET
  
 +
__NOTOC__
 
==Eindrücke==
 
==Eindrücke==
 
Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund.
 
Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund.
Zeile 20: Zeile 30:
  
 
In der Übung werden neben Rechnungen auch Skizzen/Diagramme der Ladungsträgerdichten bei bestimmten Zuständen angefertig und interpretiert. Dazu gibt es entsprechende Aufgabenblätter der Veranstalter.
 
In der Übung werden neben Rechnungen auch Skizzen/Diagramme der Ladungsträgerdichten bei bestimmten Zuständen angefertig und interpretiert. Dazu gibt es entsprechende Aufgabenblätter der Veranstalter.
 +
 +
 +
[[Kategorie:Lehrveranstaltungen]]

Aktuelle Version vom 6. September 2011, 17:10 Uhr

Wissenswertes

Inhalt

  • Kristallstrukturen, Bändermodell
  • Dotierung, Stromleitung
  • piezo-restive Sensoren
  • pn-Übergang, Dioden, Photodioden, LEDs
  • Bipolartransistoren, MOS-Transistoren
  • MESFET


Eindrücke

Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund.

Am Beispiel von speziellen Komponenten wie Sensoren, Dioden und LEDs werden die Grundlagen spezialisiert und vertieft. Der pn-Übergang nimmt einen Grossteil der Übungszeit in Beschlag und bildet das zentrale Thema der Veranstaltung. Transistoren sind ein weiterer Schwerpunkt. Hier wird nicht nur die Funktionsweise sondern auch die Zusammensetzung und Herstellung erklärt. Prof. Reichl hat dazu auch die passenden Anekdoten aus der Praxis auf Lager.

In der Übung werden neben Rechnungen auch Skizzen/Diagramme der Ladungsträgerdichten bei bestimmten Zuständen angefertig und interpretiert. Dazu gibt es entsprechende Aufgabenblätter der Veranstalter.