Halbleiterbauelemente: Unterschied zwischen den Versionen
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Version vom 30. November 2010, 21:05 Uhr
Wissenswertes
- Lehrform: 2 SWS VL / 2 SWS UE
- Bemerkungen: nur im WS
- Dozent: Boit
- Voraussetzung: Physik für Elektrotechniker, Grundlagen der Elektrotechnik
- Skript: veraltetes Skript zum Selberdrucken (wird Überarbeitung)
- Prüfung: 90min Klausur
- Homepage: ISIS
Inhalt
- Kristallstrukturen, Bändermodell
- Dotierung, Stromleitung
- piezo-restive Sensoren
- pn-Übergang, Dioden, Photodioden, LEDs
- Bipolartransistoren, MOS-Transistoren
- MESFET
Eindrücke
Ausgehend von den physikalischen Grundlagen wie Atom/Bändermodell wird über Kristalle und deren chemische Zusammensetzung der Begriff des Halbleiters eingeführt. Methoden wie Dotierung, die damit verbundenen Effekte und die mathematische Modellbildung stehen anfangs im Vordergrund.
Am Beispiel von speziellen Komponenten wie Sensoren, Dioden und LEDs werden die Grundlagen spezialisiert und vertieft. Der pn-Übergang nimmt einen Grossteil der Übungszeit in Beschlag und bildet das zentrale Thema der Veranstaltung. Transistoren sind ein weiterer Schwerpunkt. Hier wird nicht nur die Funktionsweise sondern auch die Zusammensetzung und Herstellung erklärt. Prof. Reichl hat dazu auch die passenden Anekdoten aus der Praxis auf Lager.
In der Übung werden neben Rechnungen auch Skizzen/Diagramme der Ladungsträgerdichten bei bestimmten Zuständen angefertig und interpretiert. Dazu gibt es entsprechende Aufgabenblätter der Veranstalter.
